iPhone中到底用了什么FLASH MEMORY
在韩国媒体的报道中“iPhone 不仅使用了成本更低的NAND TLC FLASH，更重要的是在其控制集成电路（IC）出现了故障。”在iPhone内部，这块IC主要任务是其他电子元器件和NAND之间的调度和控制，保证数据的正常写入和读取，平时用户不管是拍照还是使用应用都离不开它。
那么实际情况是否如韩国媒体报道的那样？带着好奇，笔者查阅ifixit的拆机资。根据128G的真机实拆图显示，其采用来自韩国的海力士（SKhynix）的NAND FLASH，型号为H2JTDG8UD1BMS。（图中红色部分）
这颗NAND FLASH在海力士的技术文档中被归为E2NAND 3.0，是由SK Hynix和Anobit合作开发的，而Anobit早已被苹果收购，致力于提高闪存的稳定性。虽然海力士并未明确标注H2JTDG8UD1BMS的类型，但是在全球领先的微电子服务网站TechInsights上，H2JTDG8UD1BMS被明确规范为NAND MLC FLASH MEMORY。
因此此次韩国媒体存在着失实情况，iPhone 6 Plus所使用的就是NAND MLC FLASH MEMORY，而非所谓的廉价NAND TLC FLASH MEMORY。而至于这块FLASH中的控制IC是否存在问题，目前苹果官方并未出面解释，在其他媒体上也未见反映，因此需要进一步确认。
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